大多数下一代无线通信技术需要能够在 90 GHz 以上的频率下运行的集成射频设备。最广泛用于制造射频器件的两种半导体是硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 场效应晶体管 (FET) 和基于 III-V 族化合物半导体（特别是 GaAs）的晶体管。

Qorvo QPD0005评估板设计用于评估QPD0005 GaN单级，不匹配晶体管射频晶体管。这些射频晶体管的频率范围在2.5GHz到5GHz之间。QPD0005射频晶体管是封装在塑料overmold DFN封装中的SiC高电子迁移率晶体...

Qorvo QPD1029L评估板设计用于评估工作在1.2GHz至1.4GHz频率范围的QPD1029L GaN RF内匹配FET (IMFET)晶体管。QPD1029L射频晶体管非常适合雷达应用。特性频率范围1.2GHz ~ 1.4GHz...

Qorvo QPD0007评估板设计用于评估单级无与伦比的QPD0007 GaN射频晶体管的特性和功能。这些射频晶体管是SiC高电子迁移率晶体管(hemt)，采用DFN封装，工作在直流至5GHz频率范围。QPD0005射频晶体管能够在+48...

Qorvo QPD0010 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）上的不对称双路径分立GaN。这些RF晶体管是每条路径中的单级放大器晶体管，能够以Doherty配置传递15W输出功率。